양극 썸네일형 리스트형 방사선 기기학 정리 방 사 선 기 기 학 1. X-선 발생장치의 필요조건 ⓐ 자유전자 공급 ( 가열변압기 ) ⓑ 고속도 운동 에너지 ( 고압변압기 ) ⓒ 고진공도 유지 (10-5 ~ 10-7 mmHg). ⓓ 저지물 (Target ) - 텅스텐 2. 전자의 발생 ⓐ 금속을 고온으로 가열한다. (열전자 방출) ⓑ 양이온을 물질에 충돌시킨다. (2차전자) ⓒ 빛을 물질에 쬔다. (광전자 방출) ⓓ 금속의 표면에 강한 전계를 가한다. (냉전자 방출) ⓔ 방사성 물질에 의한 전자방출 (β선 방출) 3. Duane Hunt의 법칙 연속X선의 최단파장 12.42 12.42 λ = -------- X 10-10 (m) = ---------- Å V(kV) V (kV) 4. 연속 X선의 강도의 총량 I = KV2IZ 강도는 최단파장의 1... 더보기 방사선 기기학 정리 방사선 기기학 ■X선 발생장치의 필요조건 - 자유전자의 공급(가열변압기에 의해) - 고속도의 운동에너지(고전압변압기 or 주변압기에 의해) - 고진공도 유지(105～107mmHg) - 저지물(Target) : Tungsten ■관전압[kv] - X선이 발생할 때의 X선관 양단전압을 파고치로 표시 - 고전위(＋)에서 저전위(－)로 열전자가 이동하여 X선 방출 - 단권변압기 출력측에서 조절 - X선질(quality), 투과력을 좌우 - 관전류 일정, 관전압 증가시 초점이 작아짐 - 관전압계 : 고압변압기 1차측 , 단권변압기 2차측(출력측)에 병렬로 접속 가동철편형 - 전시식 관전압계의 전압은 1차 전압보다 적고, 단권변압기의 출력전압보다 적다. 그 차 이는 관전류 선택이 클수록 커진다. 그 이유는 관전압계.. 더보기 방사선 개론 정리 1. X선관 구조 - 경질내열유리관 내에 음극(cathode, filament)과 양극(anode, target)을 봉입한 진공 2극관이다. ① 텅스텐(74, 3,370℃) 필라멘트를 가열하여 전자를 발생 ② 음극과 양극 사이에 고전위차를 주어 전자를 가속 시킨다. ③ 가속전자가 텅스텐 저지극에 충돌하면 X선 1) 유리관 - 진공상태 유지 (전압과 전류를 분리하여 조절 할 수 있는 장점이 있음) - x선 흡수가 낮은 붕소규산염 유리를 사용한다. (유리와 연결도선이 가열될 때 선팽창계수와 용융점을 같게 하기 위함) 2) 음극 - 음극은 전자의 발생원인 1) 필라멘트 2) 전기도선과 3) 집속통 으로 구성 ① 필라멘트 ♦ 텅스텐(74, 3,370℃)을 재질로 사용 ♦ 강도와 용융점(3,370℃)이 높으며 기.. 더보기 X선의 원리 1) 륀트겐의 X-선발견 뢴트겐(Wilhlem Conrad Roentgen,1845-1923)은 독일의 레네프에서 독일인인 아버지와 네덜란드인인 어머니 사이에서 태어났다. 어려서 그는 네덜란드에서 공부를 했는데, 그곳에서 학업을 마치지 못하고 1865년 입학시험을 통해서 취리히의 연방공과 대학 (ETH) 기계공학과에 입학했다. 1869년 그곳에서 박사 학위를 마친 그는 독일 뷔르츠 부르크 대학의 물리학자인 아우구스트 쿤트 (August Kundt,1839-1894)의 조교가 되어 과학자로서의 경력을 쌓기 시작했다. 그뒤 쿤트를 따라 슈트라스부르크로 가서 1874년 교수 자격 과정(Habilitation)을 이수하고, 그 이듬해 뷔템베르크의 작은 학교에서 교수로 잠시 재직하다가, 슈트라스부르크 대학을 거쳐.. 더보기 이전 1 다음